GD200HFL120C2S G4 module de puissance double IGBT 1200V 200A

Technologie Trench Gate Field Stop au service de vos intégrations

Le module de puissance GD200HFL120C2S G4 intègre des puces de dernière génération permettant une tension de saturation VCE(sat) extrêmement basse. Cette caractéristique se traduit directement par une baisse des pertes par conduction, permettant de concevoir des refroidisseurs plus compacts et d'alléger la structure globale de vos convertisseurs de fréquence statiques.

Tableau des grandeurs électriques nominales

Une conception mécanique robuste pour l'industrie

La structure interne de la gamme G4 utilise des liaisons par fil d'aluminium optimisées pour résister aux contraintes mécaniques provoquées par les variations rapides de température. Le boîtier compact simplifie le montage sur barre omnibus (busbar), sécurisant les connexions électriques quotidiennes.

L'utilisation du modèle GD200HFL120C2S G4 s'avère particulièrement pertinente dans les chargeurs de batteries haute puissance pour véhicules électriques, où chaque fraction de rendement compte pour accélérer le processus de charge sans surchauffe des composants périphériques.